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校正晶圓標準片
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校正晶圓標準片,用於Tencror Sufscan ,Hitach 和KLA-Tencor等設備的校準晶圓標準片和校準標準片。PSL校正晶圓標準片是依據 NIST(美國國家標準與技術研究院) 標準製造的、具有可溯源尺寸證書的精密計量工具。是在矽晶圓表麵沉積 單分散的聚苯乙烯乳膠微球(PSL)或二氧化矽標準顆粒,形成已知且精確的粒徑分布,用於校準和驗證各類晶圓表麵顆粒檢測係統的 尺寸精度(粒徑響應曲線) 和 掃描均勻性,是半導體製造質量控製中確保檢測設備數據準確可靠的關鍵基準。
產品詳情

校正晶圓標準片是1款符合NIST(美國國家標準研究所)標準,內含尺寸證書的PSL晶圓標準片。該校正晶圓標準片標準片表麵由單分散聚苯乙烯乳膠珠沉積而成,並於50nm至10微米尺寸範圍內的形成窄峰寬的尺

峰來校準設備,完成Tencor Surfscan 6220和6440,KLA-Tencor Surfscan SP1,SP2和SP3晶圓檢測係統等設備的粒徑響應曲線校正。校正晶圓標準片科以全片沉積的方式進行沉積,即整個晶圓上隻有單一粒徑。

或者校正晶圓標準片以多點的沉積方式進行沉積,形成單一或多種尺寸標準峰,並精確分布在校正晶圓標準片內。

我司提供使用標準粒子的校準晶圓標準片。這可以幫助客戶完成對設備的尺寸精度的校正,包括KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、

KLA-Tencor Surscan SP5xp、Surfscan 6420、Surfscan 6220、Surfscan 6220、ADE、Hitachi和Topcon SSIS等工具和晶圓檢測係統。我們的 2300 XP1 顆粒沉積係統可以使用 PSL乳膠小球(聚苯乙烯乳膠標準

顆粒)和二氧化矽標準顆粒,在 100mm、125mm、150mm、200mm 和 300mm 矽晶圓上沉積。

工廠的半導體計量設備管理員使用這些PSL校正晶圓標準片來校準由KLA-Tencor,Topcon,ADE和Hitachi的掃描表麵檢測係統(SSIS,Sufface Scan Inspection System)的尺寸響應曲線。PSL晶圓標準片亦用於

評估Tencor Surfscan掃描矽片或薄膜的均勻性。

 校正晶圓標準片用於驗證和控製SSIS等設備的兩項性能規格:特定顆粒尺寸下的尺寸精度和整片掃描中晶圓掃描的均一性。校正晶圓標準片通常以單一種粒徑(通常於50nm至12微米之間)的全沉積形式提供。通

過在晶圓上沉積,即完全沉積,晶圓檢測係統可以鎖定顆粒峰,操作員可以輕鬆確定SSIS等工具是否在此尺寸下符合性能規格。例如,如果晶圓標準片為100nm,並且 SSIS 掃描到95nm或105nm 處的峰值,

因此可以判定SSIS超限,此時可以使用100nm PSL 晶圓標準片進行校正。掃描晶圓標準片還可以告訴技術人員SSIS在PSL晶圓標準片中的檢測效果如何,從而在均勻沉積的晶圓標準片中尋找顆粒檢測的相似性。晶

圓標準片的表麵以特定的PSL尺寸沉積,不留下任何未沉積在PSL小球的晶圓部分。在掃描PSL晶圓標準片期間,掃描晶圓的均勻性應表明SSIS在掃描過程中沒有忽略晶圓的某些區域。因為2個不同SSIS設備(

沉積點和客戶點)的計數效率不同,全沉積晶圓上的計數精度是主觀片麵的,有時差異高達50%。因此,同一標準片,在SSIS設備1測量到在204nm粒徑有2500計數,而在客戶處的SSIS設備2掃描得到計數值位於

1500至3000。2台SSIS設備間的計數差異的原因是內部PMT(光電倍增器管)的激光效率不同。由於兩台SSIS設備的激光功率和激光束強度差異,兩台不同晶圓檢測係統之間的計數精度通常不同。

                     以上兩圖為PSL校正晶圓標準片有兩種類型的沉積:全片沉積和多點沉積。

聚苯乙烯乳膠珠(PSL球)或二氧化矽納米顆粒均可以沉積。

多點沉積的PSL晶圓標準片用於在一個尺寸峰或多個尺寸峰下校準SSIS設備的尺寸精度。

多點沉積的校正晶圓標準片具有以下優點:沉積在晶圓上的PSL小球形成的斑點清晰可見,並且斑點周圍的剩餘晶圓表麵沒有任何PSL小球。優點是,隨著時間的推移,人們易於判斷校正晶圓標準片是否因為太髒

而無法用作尺寸參考標準。多點沉積將所需的PSL小球沉積到晶圓表麵上的特定斑點位置;因此,因此表麵是非常少的PSL球體和帶來更高的計數精度。我司采用 DMA(差分遷移率分析儀)技術的 2300XP1 型

,以確保沉積的PSL小球的尺寸峰準確無誤。1台CPC用於控製計數準確性。DMA旨在從粒子流中去除不需要的顆粒,如雙倍粒徑顆粒和三倍粒徑顆粒。DMA還設計用於去除尺寸峰左側和右側不需要的顆粒;從而確

保單分散的顆粒峰沉積在晶圓表麵。在沒有DMA技術的情況下,允許在晶圓表麵沉積不需要的雙倍粒徑、三倍粒徑和背景顆粒沉積以及所需的粒徑。

L校正晶圓標準片是半導體製造業維持 “測量信任鏈” 的基礎。它將抽象的儀器性能指標,轉化為可測量、可追溯的物理實體。通過選擇正確的沉積類型(全片或多點),質量控製工程師和技術人員能夠準確地鎖定

並修正檢測設備的係統誤差,確保每一片晶圓上的缺陷檢測數據都真實、可靠,從而為工藝改進和良率提升提供堅實的數據基石。對於任何運行晶圓生產線的Fab廠而言,定期使用高精度的PSL標準片進行設備校

準,是一項不可或缺的質量保障程序。



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校正晶圓標準片,用於Tencror Sufscan ,Hitach 和KLA-Tencor等設備的校準晶圓標準片和校準標準片。PSL校正晶圓標準片是依據 NIST(美國國家標準與技術研究院) 標準製造的、具有可溯源尺寸證書的精密計量工具。是在矽晶圓表麵沉積 單分散的聚苯乙烯乳膠微球(PSL)或二氧化矽標準顆粒,形成已知且精確的粒徑分布,用於校準和驗證各類晶圓表麵顆粒檢測係統的 尺寸精度(粒徑響應曲線) 和 掃描均勻性,是半導體製造質量控製中確保檢測設備數據準確可靠的關鍵基準。
產品詳情

校正晶圓標準片是1款符合NIST(美國國家標準研究所)標準,內含尺寸證書的PSL晶圓標準片。該校正晶圓標準片標準片表麵由單分散聚苯乙烯乳膠珠沉積而成,並於50nm至10微米尺寸範圍內的形成窄峰寬的尺

峰來校準設備,完成Tencor Surfscan 6220和6440,KLA-Tencor Surfscan SP1,SP2和SP3晶圓檢測係統等設備的粒徑響應曲線校正。校正晶圓標準片科以全片沉積的方式進行沉積,即整個晶圓上隻有單一粒徑。

或者校正晶圓標準片以多點的沉積方式進行沉積,形成單一或多種尺寸標準峰,並精確分布在校正晶圓標準片內。

我司提供使用標準粒子的校準晶圓標準片。這可以幫助客戶完成對設備的尺寸精度的校正,包括KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、

KLA-Tencor Surscan SP5xp、Surfscan 6420、Surfscan 6220、Surfscan 6220、ADE、Hitachi和Topcon SSIS等工具和晶圓檢測係統。我們的 2300 XP1 顆粒沉積係統可以使用 PSL乳膠小球(聚苯乙烯乳膠標準

顆粒)和二氧化矽標準顆粒,在 100mm、125mm、150mm、200mm 和 300mm 矽晶圓上沉積。

工廠的半導體計量設備管理員使用這些PSL校正晶圓標準片來校準由KLA-Tencor,Topcon,ADE和Hitachi的掃描表麵檢測係統(SSIS,Sufface Scan Inspection System)的尺寸響應曲線。PSL晶圓標準片亦用於

評估Tencor Surfscan掃描矽片或薄膜的均勻性。

 校正晶圓標準片用於驗證和控製SSIS等設備的兩項性能規格:特定顆粒尺寸下的尺寸精度和整片掃描中晶圓掃描的均一性。校正晶圓標準片通常以單一種粒徑(通常於50nm至12微米之間)的全沉積形式提供。通

過在晶圓上沉積,即完全沉積,晶圓檢測係統可以鎖定顆粒峰,操作員可以輕鬆確定SSIS等工具是否在此尺寸下符合性能規格。例如,如果晶圓標準片為100nm,並且 SSIS 掃描到95nm或105nm 處的峰值,

因此可以判定SSIS超限,此時可以使用100nm PSL 晶圓標準片進行校正。掃描晶圓標準片還可以告訴技術人員SSIS在PSL晶圓標準片中的檢測效果如何,從而在均勻沉積的晶圓標準片中尋找顆粒檢測的相似性。晶

圓標準片的表麵以特定的PSL尺寸沉積,不留下任何未沉積在PSL小球的晶圓部分。在掃描PSL晶圓標準片期間,掃描晶圓的均勻性應表明SSIS在掃描過程中沒有忽略晶圓的某些區域。因為2個不同SSIS設備(

沉積點和客戶點)的計數效率不同,全沉積晶圓上的計數精度是主觀片麵的,有時差異高達50%。因此,同一標準片,在SSIS設備1測量到在204nm粒徑有2500計數,而在客戶處的SSIS設備2掃描得到計數值位於

1500至3000。2台SSIS設備間的計數差異的原因是內部PMT(光電倍增器管)的激光效率不同。由於兩台SSIS設備的激光功率和激光束強度差異,兩台不同晶圓檢測係統之間的計數精度通常不同。

                     以上兩圖為PSL校正晶圓標準片有兩種類型的沉積:全片沉積和多點沉積。

聚苯乙烯乳膠珠(PSL球)或二氧化矽納米顆粒均可以沉積。

多點沉積的PSL晶圓標準片用於在一個尺寸峰或多個尺寸峰下校準SSIS設備的尺寸精度。

多點沉積的校正晶圓標準片具有以下優點:沉積在晶圓上的PSL小球形成的斑點清晰可見,並且斑點周圍的剩餘晶圓表麵沒有任何PSL小球。優點是,隨著時間的推移,人們易於判斷校正晶圓標準片是否因為太髒

而無法用作尺寸參考標準。多點沉積將所需的PSL小球沉積到晶圓表麵上的特定斑點位置;因此,因此表麵是非常少的PSL球體和帶來更高的計數精度。我司采用 DMA(差分遷移率分析儀)技術的 2300XP1 型

,以確保沉積的PSL小球的尺寸峰準確無誤。1台CPC用於控製計數準確性。DMA旨在從粒子流中去除不需要的顆粒,如雙倍粒徑顆粒和三倍粒徑顆粒。DMA還設計用於去除尺寸峰左側和右側不需要的顆粒;從而確

保單分散的顆粒峰沉積在晶圓表麵。在沒有DMA技術的情況下,允許在晶圓表麵沉積不需要的雙倍粒徑、三倍粒徑和背景顆粒沉積以及所需的粒徑。

L校正晶圓標準片是半導體製造業維持 “測量信任鏈” 的基礎。它將抽象的儀器性能指標,轉化為可測量、可追溯的物理實體。通過選擇正確的沉積類型(全片或多點),質量控製工程師和技術人員能夠準確地鎖定

並修正檢測設備的係統誤差,確保每一片晶圓上的缺陷檢測數據都真實、可靠,從而為工藝改進和良率提升提供堅實的數據基石。對於任何運行晶圓生產線的Fab廠而言,定期使用高精度的PSL標準片進行設備校

準,是一項不可或缺的質量保障程序。



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