磁控濺射靶源

我司提供的磁控濺射源是目前市場上能與超高真空係統(1e-11torr)匹配的商業用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結構中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環境下，可以實現超高純度的濺射沉積。

應用範圍：

• 金屬沉積，Al, Cu, Ti, Ni, Au, Pt等，高純度金屬薄膜
  ，低雜質含量；

• 電介質沉積，Al₂O₃, SiO₂, HfO₂等，致密均勻的絕緣層
  ，優良電學性能
  ；

• 複合物沉積
  ，多元合金、化合物薄膜，成分精確可控，界麵質量優異。

技術參數:

• 不同型號濺射源可以選用不同靶材尺寸 .1”,2”,3” 等各種靶材尺寸均可使用
  ；

• 靶材厚度薄,低至4mm,節約靶材；

• 濺射源法蘭上帶有氣體管道，以便提高操作濺射源時的真空；

• 手動/馬達驅動 擋板；

• 濺射源可設計成原位傾斜，傾斜角度(+/-30º)；

• 氣體流量控製；

• 進程全自動化；

• 真空中可烘烤至250攝氏度；

• 占用空間小；

• 冷卻水流量低,0.5L/min。

係統兼容優勢：

• 高溫烘烤：真空中可烘烤至250℃，確保超高真空潔淨度

• 緊湊設計：占用空間小，易於集成到現有係統

• 高效冷卻：冷卻水流量隻需0.5L/min，運行成本低

該(gai)濺(jian)射(she)源(yuan)專(zhuan)為(wei)對(dui)真(zhen)空(kong)環(huan)境(jing)和(he)薄(bo)膜(mo)純(chun)度(du)有(you)嚴(yan)苛(ke)要(yao)求(qiu)的(de)研(yan)究(jiu)與(yu)應(ying)用(yong)而(er)設(she)計(ji)，為(wei)超(chao)高(gao)真(zhen)空(kong)條(tiao)件(jian)下(xia)的(de)高(gao)質(zhi)量(liang)薄(bo)膜(mo)沉(chen)積(ji)提(ti)供(gong)了(le)可(ke)靠(kao)的(de)商(shang)業(ye)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。