產品簡介：

REAL RTP100型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款4cunpiankuaisutuihuolu，caiyonggexindejiarejishu，keshixianzhenzhengdejidiwenduceliang
，buxuyaocaiyongchuantongkuaisutuihuoludewendubuchang，wendukongzhijingque
，wenduzhongfuxinggao
，kehubaokuoguojishang

許多半導體公司及有名科研團隊
，是半導體製程退火工藝的理想選擇。

技術特色：

- 真正的基片溫度測量
，無需傳統的溫度補償

- 紅外鹵素管燈加熱

- 極其優異的加熱溫度精確性與均勻性

- 快速數字PID溫度控製

- 不鏽鋼冷壁真空腔室

- 係統穩定性好

- 結構緊湊，小型桌麵係統

- 帶觸摸屏的PC控製

- 兼容常壓和真空環境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

- 更高3路氣體（MFC控製）

- 沒有交叉汙染，沒有金屬汙染

技術介紹：

rushangtu，youzhenlieshilusudengfushechureliangjingguoshiyingchuangkoudaodayangpinbiaomian
，yangpinbeijiare
，chuantongdekuaisutuihuolucaiyongredianoujinxingceliangjipianwendu

，youyuredianouyujipianyouyidingjuli
，celiangdebushijipianzhenshidewendu，bixujinxingwendubuchang。

REAL RTP100型快速退火爐采用適配的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫，如上圖，熱電偶測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位於樣品上方很近的位置，陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口

到達樣品表麵，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱
，由於基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進行熱量傳遞，並很快達到熱平衡
，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度
，從而實現

基片溫度的真實測量。

主要技術參數：

- 基片尺寸：4英寸

- 基片基座：石英針（可選配SiC塗層石墨）

- 溫度範圍：150-1250℃

- 加熱速率：10-200℃/S

- 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

- 溫度控製精度：≤ ±3℃

- 溫度重複性：≤ ±3℃

- 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

- 氣路供應：標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控製（更多可選3路）

- 退火持續時間：≥35min@1250℃

- 溫度控製：快速數字PID控製

- 尺寸：870mm*650mm*620mm

基片類型：

- Silicon wafers矽片

- Compound semiconductor wafers化合物半導體基片

- GaN/Sapphire wafers for LEDs 用於LED的GaN/藍寶石基片

- Silicon carbide wafers碳化矽基片

- Poly silicon wafers for solar cells用於太陽能電池的多晶矽基片

- Glass substrates玻璃基片

- Metals金屬

- Polymers聚合物

-Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化矽的石墨基座

應用領域：

離子注入/接觸退火
，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣

、氫氣

、混合氣等不同環境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化
，低介電材料，晶體化
，致密化，

太陽能電池片鍵合等。