超高真空磁控濺射係統（UHV SPUTTER）

儀器介紹：

美國專業的製造商PVD公司是一家在磁控濺射沉積，電子束蒸發沉積
，脈衝激光沉積等領域有著20年製造經驗。

我司代理的PVD公司生產的磁控濺射係統可以實現在更大300mm襯底上沉積金屬和電介質薄膜。使用RF
、DC或脈衝DC電源的磁控濺射源可以單個模式或者聯合-沉積模式工作
，以便生產可以對滿足普遍的薄膜要求。

我司生產的鈦磁控濺射源的尺寸可從1 inch（25mmm)到8inch（200mm)任選 ,並搭配內置傾斜裝置以滿足按照沉積工藝進行的微調。襯底支架符合更大300mm直徑的晶片需求，並可對晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。

磁控濺射係統可按客戶需求增減其他窗口用於諸如殘餘氣體分析（RGA）、反射高能電子衍射（RHEED)或橢偏儀（ellipsometry）。

技術參數：

Vacuum Chamber: 304不鏽鋼圓柱形腔體，滿足不同客戶的定製需求。

Pumping: 分子泵或冷凝泵，機械泵真空係統

Load Lock: 手動傳片或自動傳片,適合各種形狀尺寸的小片到300mm大的圓片
，高真空背景傳遞

Process Control: PC / PLC自動控製界麵，菜單控製，數據獲取和遠程控製

In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監控，光學膜厚監控

，RGA殘餘氣體分析

Substrate Fixture: 單片，多片，星狀襯底夾具

Substrate Holders: 可加熱
，冷卻
，偏壓，旋轉

Ion Source: 襯底預清洗，納米表麵改性

Deposition Techniques

Magnetron Sputtering RF, DC, or Pulsed-DC;具有射頻濺射
，直流濺射，脈衝直流濺射。

Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition 傾斜角度濺射。