矽穿孔工藝設備
矽穿孔(TSV,Through Silicon Via)：通(tong)過(guo)芯(xin)片(pian)和(he)芯(xin)片(pian)之(zhi)間(jian)，晶(jing)圓(yuan)和(he)晶(jing)圓(yuan)之(zhi)間(jian)製(zhi)作(zuo)垂(chui)直(zhi)導(dao)通(tong)
，實(shi)現(xian)芯(xin)片(pian)之(zhi)間(jian)互(hu)連(lian)的(de)較(jiao)新(xin)技(ji)術(shu)。能(neng)夠(gou)使(shi)芯(xin)片(pian)在(zai)三(san)維(wei)方(fang)向(xiang)堆(dui)疊(die)的(de)密(mi)度(du)大(da)，芯(xin)片(pian)之(zhi)間(jian)的(de)互(hu)連(lian)線(xian)較(jiao)短(duan)
，外(wai)形(xing)尺(chi)寸(cun)小(xiao)，並(bing)且(qie)較(jiao)大(da)改(gai)善(shan)芯(xin)片(pian)速(su)度(du)和(he)低(di)功(gong)耗(hao)的(de)性(xing)能(neng)
，使(shi)目(mu)前(qian)電(dian)子(zi)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)中(zhong)引(yin)人(ren)注(zhu)目(mu)的(de)新(xin)技(ji)術(shu)。
特點：
1.縮小封裝尺寸。
2.高頻特性出色
，減少傳輸延時的一種技術。
3.降低芯片功耗，TSV可將矽鍺芯片的功耗降低約40%。
4.熱膨脹可靠性高。

產品特點：
應用範圍：TSV工藝
晶圓尺寸：6英寸，8英寸，12英寸
工藝流程：Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工藝特型：單晶圓麵向上濕法工藝
薄膜沉積：Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反應物管路：CDS（ Chemistry Delivery System)
係統參數：單晶圓腔體工藝（手動，半自動）
多腔體工藝（自動）
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS

這套TSV工藝設備，是一套高度複雜
、高度集成的濕法電化學沉積係統。它是先進封裝領域的優異製造裝備，其技術主要在於實現高深寬比TSV孔的無缺陷、高均勻性銅填充。